24小时服务热线
19337881562
2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图）
2024年5月17日 使用SiC-MOS为基础材料的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上、能量损耗降低50%以上、设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率 2022年8月26日 碳化硅衬底尺寸越大、良率越高，其单位成本就越低。 当前国内SiC衬底的主流尺寸为4或6英寸，而Wolfspeed早已实现8英寸衬底的量产。 扩径有着极高的技术壁垒，不同尺寸的SiC衬底之间有大约5年的 中国碳化硅的2024，是未来也是终局_澎湃号湃客_澎
了解更多
【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路” - 中国 ...
2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。 目前已发 2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
了解更多
芯趋势丨碳化硅的新战役和新战场 - 21经济网
2024年6月27日 碳化硅整个产业链都在降价，是产业发展到一定阶段的产物，也受应用需求所驱动。近日在由芯谋研究主办的第三届IC NANSHA大会上，瞻芯电子COO陈俭分析 2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
了解更多
碳化硅陈建平
2022年5月24日 近期，科研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G 2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。 目前已发 20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路”中国科学院_新浪科技 ...
了解更多
碳纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料界面相的研究进展-期刊杂志社
碳纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料界面相的研究进展 陈 智勇 1，刘建寿 1，徐颖强 2，张东生 3，姚永玉 1，李妙玲 1，李 彬 1，张广广 1 (1. 洛阳理工学院 机械工程学院，河南 洛阳 471023；2. 西北工业大学 机电学院，陕西 西安 710072；3. 河南泛锐复合材料 ...陈小龙. 现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。. 1991年博士毕业于中国科学院物理研究所，德国海德堡（Heidelberg）大学和拜罗伊特（Bayreuth）大学洪堡学者。. 长期从事功能晶体材料研究工作，发展了 陈小龙（中国科学院物理研究所研究员）_百度百科
了解更多
功率器件的新风与旧热——碳化硅与IGBT - 与非网
2023年3月29日 陈子颖还认为，SiC MOSFET发展目前尚处于起步阶段，未来新应用的出现和市场潜力的发掘，将推动以碳化硅为代表的第三代半导体技术的发展。 至于在这个过程中如何提高器件的利用率和市场渗透率，封装技术和应用技术等方面的提升或将起到不小的影响。3 天之前 特聘教授/博导，俄罗斯工程院外籍院士。江苏省建筑智慧节能重点实验室主任；江苏省建筑碳中和技术工程研究中心技术委员 ...陈建平-苏州科技大学建筑与城市规划学院
了解更多
兰州众力工业材料有限公司
2015年4月30日 兰州众力工业材料有限公司成立于2005年，位于甘肃省兰州市红古区窑街镇，注册资金50万元，占地面积45亩，现有固定资产3000万元。本公司具有年产25000吨碳化硅的生产、加工能力，拥有两条段砂加工线和雷蒙磨细粉加工车间，新建的粒度砂及微粉加工线拥有国内先进的碳化硅精细微粉设备和工艺 ...2022年1月26日 摘要 碳化硅(SiC)材料在核能材料和半导体器件等领域有广泛的潜在应用,其辐照效应一直备受关注。结合动态恒温墙技术和恒温恒压热浴算法,本工作基于经典分子动力学模拟方法构建了单晶立方碳化硅(3C-SiC)的连续辐照模型,并研究了室温下连续几千次碰撞级联引起的SiC晶体损伤(对应的辐照剂量高达1 ...单晶立方碳化硅辐照肿胀与非晶化的分子动力学模拟研究
了解更多
陈小龙：碳化硅晶圆国产化先锋 - 国际科技创新中心
2019年3月22日 陈小龙带领他的团队，经过不懈努力，不畏失败，相继攻克了2英寸、4英寸和6英寸碳化硅晶圆的基础问题和关键技术，并持续开发了4代具有自主知识产权的晶体生长炉。如今他们研发的碳化硅晶圆已进入国际市场，支持了国内碳化硅产业链的全面崛起。陈彤：2014年，对整个碳化硅产业来讲非常关键。 我国的功率器件长期处在落后的局面。 目前碳化硅与国外处在相对同步发展的阶段，如果我们这一步没有跟上，接下来后面的30年可能重回硅功率器件的老路，长期被国外企业高利润垄断，这种垄断使得对方的铁在中国买出金 陈彤：碳化硅量产给我国提供后发优势 - 新闻动态 - 泰科天润 ...
了解更多
陈建平-广东海洋大学食品科技学院院系网站 - gdou.cn
2019年10月18日 陈建平（1986-），博士，讲师，硕士生导师，食品科学与工程系专任教师。主要从事功能活性组分的包埋及其理化特性和生物活性等研究。目前主持国家自然科学基金、广东省自然科学基金、创新强校等科研项目4项，参与国家...2023年2月8日 陈小龙：从上个世纪50年代，人们就知道碳化硅这个材料的半导体特性很好。 但是在材料制备方面一直没有获得突破，硅获得了突破，因此硅材料器件就迅速发展，一直到今天，硅仍然是微电子领域里最重要的材料。【闳议】陈小龙：“双碳”目标下碳化硅产业处爆发开始阶段大 ...
了解更多
陈建平-四川大学华西基础医学与法医学院
陈建平 教授、博导 联系方式： Jpchen007@163 1995年华西医科大学医学博士，师从我国著名人体寄生虫学专家胡孝素教授。1997年中国预防医学科学院博士后，师从我国著名微生物学专家高守一院士。1998年任人体寄生虫学教研室副教授、副主任，2000 ...2019年3月25日 中国科学院物理研究所陈小龙研究员带领他的团队，长期聚焦于碳化硅晶体生长，走出了一条从基础研究到产业化的自主创新之路，将研究成果进行产业转化，成功打造出一家国内碳化硅晶圆的龙头企业，打破了国外的技术垄断，成为国内碳化硅半导体晶圆产业 ...创新人物 陈小龙：碳化硅晶圆国产化先锋_研究
了解更多
陈建平（录音师、音乐制作人）_百度百科
录音师、音乐制作人. 展开 104 个同名词条. 台湾录音师、知名音乐制作人。. [6] 入行三十多年，他从台湾到北京，从深圳到厦门，燃烧着自己对音乐的热情。. [1] 中文名. 陈建平. 国 籍.2024年1月13日 陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展. [导读] 该团队利用高温液相法，实现了相同过饱和度条件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生长过程中的相变，在国际上首次生长出了直径2-4英寸、厚度4-10mm、单一晶型的3C-SiC单晶. 中国 陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展-要闻 ...
了解更多
中科院煤化所陈成猛团队CEJ：碳化硅晶须的形核效应及其在 ...
2021年5月24日 中科院煤化所陈成猛团队CEJ：碳化硅晶须的形核效应及其在导热和电子绝缘中的潜在应用. 随着5G网络时代的到来，大功率、小型化移动电子设备得到迅速发展，如平板电脑、手机等硬件设备。. 相应地，这导致了电子设备的功耗增加及热量的迅速积累。. 为 1999年6月1日 播报 讨论 上传视频. 中国地质大学（北京）教授、博士生导师. 展开 104个同名词条. 陈建平，男，汉族， 1959 年 6 月生于北京， 籍贯 福建 闽候；毕业成都地质学院找矿系获工学学士学位； 国际数学地质协会 著名 讲坛 专委会亚太区负责 。. 中文名.陈建平（中国地质大学（北京）教授、博士生导师）_百度百科
了解更多
连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基 复合材料研究进展
2016年12月12日 394 陈明伟 等, 连续碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料研究进展 第37 卷 抗氧化性能、高温稳定性以及与金属和陶瓷基体之间良好的物理化学相容性，是目前高温复合材料 常用的增强增韧材料。 目前SiC 纤维的研发主要采用先驱体转化法。2021年12月15日 个人简介：陈建平，中国戏曲学院戏文系教授，硕士生导师。中国艺术研究院文学博士（2006年）。北京大学中文系访问学者（2014年）。中国文艺评论家协会会员，国际戏剧评论家协会（IATC）中国分会理事会会员，中国傩戏学研究会会员，中国梅兰芳文化艺术研究会会员。中国戏曲学院 - nacta.cn
了解更多
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 SiC 能够很好地满足高电压需求。. 碳化硅有可能通过提高整体系统效率来增加电动汽车的行驶里程，特别是在逆变器系统中，即增加汽车的整体节能效果，同时减少电池管理系统的尺寸和重量。. 高盛投资公司甚至预测，在电动汽车中使用碳化硅可以将电动汽 2022年5月20日 碳化硅的制备及应用最新研究进展. 王嘉琳1, 刘世凯1*,黄威2 ,徐天兵2 ,宋志键1 ,陈颖鑫1 ,孙亚光1. 河南工业大学材料科学与工程学院,河南 郑州 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
了解更多
陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展_中粉 ...
2024年1月13日 陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展. 3586 2024-01-13. 中国粉体网讯 碳化硅 (SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。. 与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC ...2024年1月22日 康奈尔大学教授兼实验室负责人、IEEE会士Debdeep Jena表示：“实际上，我对香港陈敬（Kevin Chen）团队的研究成果感到非常兴奋。. 它有很多优点和前景。. ”然而，这些专家对该类器件商业前景的看法普遍较为谨慎。. 在器件运行中，该器件使用低压高速GaN晶体管 ...香港科技大学陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者 ...
了解更多
C/SiC陶瓷基复合材料研究与应用现状
2023年8月14日 C/SiC陶瓷基复合材料研究与应用现状 关洪达 1, 张涛 1,2, 何新波 1,2,* 1 北京科技大学新材料技术研究院,北京 100083 2 北京科技大学广州新材料研究院,广州 510330 Current Status of the Research and Applications of C/SiC Ceramic Matrix Composites2017年3月14日 根据当事人违法行为的事实、性质、情节与社会危害程度,依据2005年《证券法》第二百零二条,我会决定: 对陈建平内幕交易行为,处以60万元的罚款。. 当事人应自收到本处罚决定书之日起15日内,将罚款汇交中国证券监督管理委员会开户银行:中信银行北京分行 中国证监会行政处罚决定书（陈建平）_中国证券监督管理委员会
了解更多
中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得 ...
2024年1月15日 碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。 与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？. 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。. SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。. SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有 碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？-EDN 电子技术设计
了解更多
陈小龙：20余年坚守创新 “开路”国产碳化硅 - 科学网
2024年2月3日 陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究，20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外 ...2024年2月4日 陈小龙：20余年坚守创新 “开路”国产碳化硅. 2024.2.04. “要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些两不靠的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。. ”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来所坚守的 ...陈小龙：20余年坚守创新 “开路”国产碳化硅 - 分析测试百科网
了解更多